NbSe2

2012年11月14日 (水)

NbSe2(RRR=30)121103-3 (その2)+NbSe2(RRR=40)121003-2 (その1)

昨日と本日の記録。

チャンバーに残っていた二つのNbSe2にアプローチさせたが、いずれも探針の分解能が悪くあきらめた。

週末停電なので、今週の残りは新しい電子ビーム加熱ホルダーのガス出しを行うことにする。

2012年11月12日 (月)

NbSe2(RRR=30)121103-2 (その4)+NbSe2(RRR=30)121103-3 (その1)

高エネルギーでも明確な準粒子干渉は観測されなかった。より欠陥の多い視野を探すために200nm四方をスキャンしたが、誤って+10mV/0.2nAという厳しい条件でスキャンしてしまい、探針が変わってしまった。もともとあまり分解能が良くなかったので、これを機に探針を変えようとしたが、結局あまり良くならなかったので、別の探針/試料に替えることにした。

探針をFIM処理し、別の試料を窒素温度で劈開した後、アプローチを開始した。

2012年11月10日 (土)

NbSe2(RRR=30)121103-2 (その3)

マッピング終了。前回の試料ではポケット内散乱と思われる干渉パターンがFourier変換像に現れたが、今回の試料では明確な信号は見えなかった。欠陥が少なすぎるせいかもしれない。とりあえず、高エネルギー側もデータを取ることにする。+50mV/0.2nA、35nm四方、±50mV、31layers、Vmod=2mV、256×256点。約44時間のマッピング。

2012年11月 7日 (水)

NbSe2(RRR=30)121103-2 (その2)

無事アプローチした。完璧な探針ではないが原子分解能は十分あり、欠陥像もマルチティップを示唆する形ではないので、準粒子干渉探索の為の分光イメージングを開始した。+10mV/0.2nA、35nm四方、±10mV、41layers、Vmod=0.5mV、256×256点。約67時間のマッピング。

2012年11月 6日 (火)

NbSe2(RRR=30)121103-2 (その1)

昨日と今日の記録。

昨日、無事クールダウンし、各所のチェックをクリアした。前回使った探針は、酸化膜が付いたようで、5kV程度まで電圧をかけないとFIM像が得られなかった。5.05kVで針先を調整し、IrTe2が1個チャンバー内に残っていたので、窒素温度で劈開し自動アプローチを開始した。すぐにアプローチしたが、フレークの上だったようで10度以上傾いており、原子分解能も無かったので、トポグラフを1枚とって終了した。

本日は他の探針を3.1kVでFIM処理し、NbSe2に移行した。最初の試料は劈開がうまくいかなかった。2個目も、劈開用ピンが残ってしまい振り落すのに苦労したが、なんとかなりそうなのでSTMにセットした。無事に自動アプローチを開始。

2012年10月 5日 (金)

NbSe2(RRR~40) 121003-1 その3

マッピング終了。強度は非常に弱いが、CDWの周期よりやや長い周期の準粒子干渉パターンが見えた。どのFermi面によるものかは、きちんと解析しないとわからない。もう少し、RRRの悪い試料と良い探針の組み合わせで実験すると、面白そうである。予備実験としては十分な成果があった。

明日から3日間昼間停電なので、温度が上がらないようにヘリウムを満タンにし、UPSを切り、イオンポンプを自動復帰モードに設定して終了した。来週はIrTe2の予定。

2012年10月 4日 (木)

NbSe2(RRR~40) 121003-1 その2

原子とCDWは見えるが、振幅は5pm位しかなく、探針はあまりとがっていない。いずれにせよ、システムは正常に動いていることが確認できたので、来週から本番のIrTe2の測定にかかりたい。

今のNbSe2で前から気になっていた準粒子干渉の探索を行うことにする。なるべく欠陥の多い場所を選び、マッピングを行うことにする。Nanonisコントローラのソフトのアップデートをしたところ、電圧スイープをいくつかのセグメントに分けて行うことが可能になったようだ。このモードを利用し、±45mVから±5mVまで10mVおきに、±5mV以内を1mVおきに測定することにする。変調振幅2mV、35nm四方、256×256点、約25時間のマッピング。

NbSe2(RRR~40) 121003-1 その1

昨日の記録。

週末停電の為、今週はテストと探針チェックを兼ねてNbSe2を測ることにする。配線交換後のFIMは問題なく動作した。試料を液体窒素温度で劈開し、アプローチ開始。

2011年10月 7日 (金)

NbSe2 RRR=40 #110928-1 STM/STS by 3He-STM(その6)

0.4Kでの詳細なマッピング終了。このデータをFermi関数で畳み込んで有限温度のデータと比較したところ、LiFeAsほどではないが、NbSe2でもKramer-Pesch効果は表れているようである。

明日から3日間停電があるので、この試料の測定はこれで終了にする。詳しい解析はこれからだが、装置のテストということに関しては、全く問題ないことが分かった。

2011年10月 5日 (水)

NbSe2 RRR=40 #110928-1 STM/STS by 3He-STM(その5)

今週末は停電なので、その前の最後のスキャンとして、最低温430mKでの詳細なマッピングを行うことにする。このデータを数値的にFermi関数で畳み込むことにより、より高温でのデータをシミュレートすることができる。

+5mV/0.1nA、65nm×65nm、64点×64点、変調振幅0.05mV、±2.8mV。約40時間のマッピング。

この一連のNbSe2の実験は、9月からポスドクにきたFuさんにシステムを覚えていただくことも目的だったが、ほぼ完璧に覚えていただけた。

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