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2011年5月30日 (月)

LiFeAs#BS102-J3-2 STM/STS by 3He-STM(その2)

アプローチ直後は探針が不安定だったが、±5V程度を印加したら安定した。しかし、空間分解能は悪く、欠陥は見えるが、原子格子は見えない。

今回は、前回よりさらに欠陥が少なく、超伝導ギャップが明瞭に見えた。これで、欠陥密度はバッチごとにばらついているわけではなく、同じバッチであっても、欠陥が少なく超伝導になっている領域と、欠陥が多く超伝導が消失している領域があることが分かった。同じバッチで欠陥密度が不均一なことは問題だが、そのおかげで欠陥濃度に対する超伝導ギャップの有無が議論出来るので良いともいえる。

乱れた面が選択的に劈開する可能性はあるが、記録を見直したところ、今日の試料は初めての劈開だった。

欠陥の種類とスペクトルは、前回の結果を再現した。

空間分解能は悪いが、欠陥周辺での不純物状態の広がりを知るため、40nm四方で、±9mVのマッピングを開始。セットポイント+25mV/125pA、変調振幅0.5mV、37layers、256点×256点、約41時間のマッピング。

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