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2011年4月18日 (月)

LiFeAs#BS102-J1-3 STM/STS by 3He-STM(その1)

ようやく、SnフラックスLiFeAsに正常にアプローチ。自己フラックスの試料に比べ欠陥は多いが、自己フラックスで観測されていた種類の欠陥が見えない。欠陥の種類は、作製法によって大きく変わるようである。針の分解能が思ったほど良くなく、欠陥サイトを完全に同定できないこともあり、欠陥がSnに起因するものかどうか、はっきりとは分からない。正確に見積もっていないが、欠陥の密度は自己フラックス試料のそれの数倍以上はありそうである。

驚いたことに、超伝導ギャップが全く観測されない。格子定数や高エネルギーのスペクトルは、自己フラックスのそれとほぼ同じなので、LiFeAsを測っていることは間違いない。バルク超伝導は間違いないので、Snが偏析している所で劈開しているのであろうか。そうだとすると、非磁性不純物で超伝導が消失していることになり、ギャップの符号反転と矛盾しないが、まだ、現段階では憶測である。

低エネルギーでのラフな電子状態分布を知るために、+25mV/125pA、±20mV、21layers、変調振幅1mVの電子状態イメージングを開始。約23時間のマッピング。

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