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2010年12月29日 (水)

Bi2Se3 #A-1 STM/STS by 3He-STM(その1)

Dirac点が-300meV程度の試料は、無事に1個目の試料の劈開がうまく行き、アプローチ開始。ただし、STMに試料をセットした時にかなり脱ガスし、処理室の真空度が5×10-9 Torr程度まで悪化した(その後すぐに10-11 Torr台に回復)。イオンポンプを焚いていても、2か月ほどの測定中には、やはり最低温になる試料近傍に相当残留ガス(おそらくH2)が吸着しているようだ。

H2は電子ドープに効くらしく、ARPESでDirac点を測ると、劈開直後から数時間のオーダーで深い位置にドリフトしていくそうだ。アプローチに半日近くかけているSTMで測る表面は、すでに緩和しきったものを見ているのだろう。

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