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2010年12月30日 (木)

Bi2Se3 #A-1 STM/STS by 3He-STM(その2)

無事にアプローチした。前回と同じ探針を使用しているが、分解能、トポグラフの見え方に変化無し。#3-3より欠陥が多く、ドープが進んでいることとコンシステントである。よくある欠陥は、数格子間隔の大きさの三角形をしているが、今回、一原子の大きさで非常に高い(数nm数100pmのものと、1nm100pm程度のものの2種類ある)欠陥が見受けられる。これは、以前にこのバッチの試料を測定した時にも観測されたが、#3-3では、視野の中には無かった。逆に、#3-3には多数あった、「凹み」は、今回の#A-1には存在しない。単にSe欠損、あるいはBiとSeの入れ替わりではない欠陥が存在するようだ。これは、これまで再現性に問題のあった、磁性不純物効果の再実験をするとき重要な情報になるだろう。

視野を100nmまで広げようと考えたが、この「高い欠陥」近傍で探針が不安定になるので、30nmでのマッピングを行うことにする。不均一構造の空間構造を議論するのは難しいが、不均一のキャリヤ量依存性という当初の目的には、十分だろう。

Dirac点が-300meV近傍であることを確認したのち、11Tでのマッピングを開始。30nm四方、128×128点、±50mV、81layers、セットポイント+0.1V/0.2nA、変調0.7mV、温度1.5K。約59時間のマッピング。

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