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2010年12月 8日 (水)

Bi2Se3 #3-3 STM/STS by 3He-STM(その16)

6T終了。30nm四方のスキャンで示唆されていた、不均一の長さスケールが磁場に依存しない振る舞いが確認できた。6Tのパターン自体は11Tのパターンと全く異なる。

共同研究者の笹川さんの提案で、n=0のLandau準位の100nm四方でのマッピングを行うことにする。確かに、これが定性的に新しいデータを取るうえで重要。

ただし、ゴミを拾う危険性は高い。バイアスをn=0の準位に近い-250mVに設定。知りたい情報はピーク位置なので、セットポイントがこれまでと違うことは問題にならない。

前回5nm/sのスキャン速度でもゴミ周辺で安定しなかったのは、おそらく、フィードバックが強すぎて、発振していたのであろう。フィードバックを弱め、スキャン速度を2nm/sまで下げた。また、電圧スイープ前の平均時間(フィードバックon)を10msから50msに伸ばした。

ゴミを拾う可能性を少しでも下げるため、これらの設定がうまくいくかどうか、ゴミ周辺の狭い範囲のスキャンで確認することはあえてしなかった。仮に最初のゴミを拾ったとしても、そこまでのデータだけでも何か分かるだろう。約59時間のマッピングを予定。

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