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2010年12月 5日 (日)

Bi2Se3 #3-3 STM/STS by 3He-STM(その15)

ゼロ磁場での100nm四方のマッピング終了。均一性を確認。同じ視野、同じ条件で6Tのマッピングを開始。ただし、ゴミ近くの安定性は、スキャン速度が20nm/sでも5nm/sでも変わらないので、20nm/sにもどした。

来週末の出張まで、条件を変えられるのはあと1回。3Tか、9Tか、あるいは全く別のスキャンか、6Tのデータを見て決めることにする。

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