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2010年12月24日 (金)

Bi2Se3 #3-3 STM/STS by 3He-STM(その24)

10T終了。Landau準位の底でのみ帯状構造が現れるが、これは、帯よりも、その周辺のDOSが下がっていること、つまりギャップが開いていることに、今更のように気づく。東大物理の福山先生や、ハンブルグのWiesendanger先生のグループの結果とコンシステント。先週、出張先で福山先生に指摘されたのに、なぜピンとこなかったのか不思議というか、情けない。

ただ、その内側でのみ電子状態が不均一になる±20meVという良く定義できるエネルギースケールの起源は未だに謎である。

磁場よりもLandau指数n依存性が重要であろうと考え、このエネルギースケールの外側でのマップを試みる。やはり最重要は、nが小さいところであろう。探針が変わらないことをいのりつつ、100nm四方、128×128点、-125mV~-250mV、80layers、のマッピングを開始。セットポイント-0.25V/0.2nA、変調2.5mV、温度1.5K、磁場11T。約40時間の予定。

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