« Bi2Se3 #3-3 STM/STS by 3He-STM(その3) | トップページ | Bi2Se3 #3-3 STM/STS by 3He-STM(その5) »

2010年11月11日 (木)

Bi2Se3 #3-3 STM/STS by 3He-STM(その4)

ゼロ磁場には無い電子状態の大きな不均一が見られる。原子レベルの構造は無い。欠陥やゴミは不均一と相関がほとんど無いように見える。不均一は、微細構造によるのか、それとも、関係無いのか?

ゴミから視野をずらして、より広いエネルギー範囲でマッピング。原子レベルの構造は無いので、空間分解能は落とすことにする。30nm四方、128×128点、±50mV、81layers、セットポイント+0.1V/0.2nA、変調0.7mV、温度1.5K、磁場11T。前回同様、60時間のマッピング。

« Bi2Se3 #3-3 STM/STS by 3He-STM(その3) | トップページ | Bi2Se3 #3-3 STM/STS by 3He-STM(その5) »

Bi2Se3」カテゴリの記事

コメント

コメントを書く

(ウェブ上には掲載しません)

トラックバック

この記事のトラックバックURL:
http://app.cocolog-nifty.com/t/trackback/567900/50000821

この記事へのトラックバック一覧です: Bi2Se3 #3-3 STM/STS by 3He-STM(その4):

« Bi2Se3 #3-3 STM/STS by 3He-STM(その3) | トップページ | Bi2Se3 #3-3 STM/STS by 3He-STM(その5) »